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STI 淺 溝 槽 絕緣
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https://www.google.rw/patents/CN101930941A?cl=zh
CN101930941A - 浅沟槽隔离结构的制造方法- Google Patents
本发明揭露了一种浅沟槽隔离结构的制造方法,该方法包括:提供具有沟槽的半导体衬底;在所述沟槽的底部和侧壁形成氮氧化硅层;在所述沟槽中填充绝缘介质。
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