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CN103545259A - Cmos管的pmos替代栅极的去除方法 - Google

本发明公开了一种CMOS管的PMOS替代栅极的去除方法。在半导体衬底上以STI为界，形成具有PMOS结构的第一区域和具有NMOS结构的第二区域；在上述区域表面依次沉积刻蚀终止 ...

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