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半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 419 頁 - Google 圖書結果

元件雪崩損壞有兩種模式:熱損壞和寄生雙載子電晶體 Bipolar Junction Transisitor)因 Latch Up 導通損壞。熱損壞就是功率 MOS 管在功率脈衝的作用,進入 UIS 的工作條件 ...

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