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與IGBT的區別|基本知識

・SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面,導通電阻特性的變化呈直線型,因此在低電流範圍優於IGBT。 ·碳化硅MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。 理解SiC(碳化矽)功率元件和活用範例.

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