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功率半導體產業重返榮耀，聚焦IGBT與寬能隙材料 - 富聯網

其中，IGBT可說是近年來功率半導體元件當中，成長幅度最大的產品，主要是因 ... 所謂的寬能隙指的是包括由碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)兩種材料產生的 ...

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