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先進High-k/Metal Gate之金氧半場效電晶體電性分析與可靠度研究

經過多年的發展與研究，高介電係數(high-k)絕緣層取代傳統SiO2絕緣層是一種有效的方式去解決閘極漏電問題，特別是HfO2。HfO2已經量產於通道長度32nm或更小尺寸的元件 ...

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