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#1低介電係數材料- 維基百科，自由的百科全書
低介電係數材料（low-K材料）是當前半導體行業研究的熱門話題。通過降低積體電路中使用的介電材料的介電係數，可以降低積體電路的漏電電流，降低導線之間的電容效應， ...
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#2請教什麼是“介電係數”及“介電常數”？兩者有什麼聯繫？
所以εr 才會等於真空介電常數，那這樣一來ε跟εo 都只是介電值，也就是相對誘導率?! 那介電常數就沒有單位了， ... 相對介電常數εr（有時用κ或K表示）定義為如下比例:.
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#3Low-k將到達最大極限值 - CTIMES
所謂low-k（低介電常數值）就是指介電常數（dielectric constant）比較小的材料，因為這種材料允許晶片內的金屬導線可以互相緊密地貼近，而且在晶片 ...
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#4電子/半導體low-k 低介電值。 - 解釋頁
所謂low-k（低介電值）就是尋找介電常數較小的材料，以降低導線間電流的互相干擾作用，進而提升IC內導線的傳輸功能。 由於電路信號傳遞的快慢是決定在電阻(R)與電容(C) ...
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#5介電常數_百度百科
介電常數 是反映壓電智能材料電介質在靜電場作用下介電性質或極化性質的主要參數，通常用ε來表示。不同用途的壓電元件對壓電智能材料的介電常數要求不同。
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#6High K? Low K? - 知乎专栏
一般low-k材料介电常数低于3.0；high-k材料是相对于SiO2而言，只要介电 ... 除了高的k值，在半导体工艺中，还需要考虑材料势垒、能隙、界面态密度和 ...
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#7low-k - MoneyDJ理財網
而電容值則與IC上金屬線間絕緣介電材料的介電係數K相關，K越小，電容值越小。 一直作為金屬導線間絕緣材料的化二氧化矽(SiO2)，介電係數約為3.9~4.5間，然 ...
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#8low-k:定義,作用,優缺點 - 中文百科全書
工程上根據k值的不同，把電介質分為高k(high-k)電介質和低k(low-k)電介質兩類。介電常數k >3.9 時，判定為high-k；而k≤3.9時則為low-k。IBM將low-k ...
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#9實驗二介電常數的量測
1. 先量塑膠板厚度d，平行板間距與塑膠板厚度相同. 2. 逐次改變平行電容板的充電電壓，由0.5kV 至2.5kV 量測放大器的電壓值Uair記錄於表二。 3. 利用電容公式Q = ( ...
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#10高介電常數蒸鍍材料
k值 越高，電晶體之電容值也越高，使得電晶體能正確的切換於”開”或”關”狀態。 目前有許多有希望取代SiO2 作為閘極氧化層的的高介電常數材料，如二元氧化物的Si3N4、Al2O3 ...
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#11Producer Onyx® | Applied Materials
隨著半導體元件尺寸縮小，介電質的介電常數(k) 會明顯影響提高元件速度的能力， ... 晶片製造商逐步減小絕緣薄膜的介電值：從二氧化矽材料的4.0，到在180 奈米中加入 ...
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#12low-k - 華人百科
電容的容量與電容器的結構尺寸及電介質的k值有關(圖1)，其中作為儲電材料的電介質 ... 不同電介質的介電常數k 相差很大，真空的k 值為1，在所有材料中最低;空氣的k值 ...
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#13介電常數 - 中文百科知識
如果有高介電常數的材料放在電場中，電場的強度會在電介質內有可觀的下降， ... 人們就認為在2003年，積體電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數（k值）將達到1.5。
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#14出版品代號:::CT
所謂低介電質，其k值（介電係數）愈低則絕緣性愈高，SiO2的k值約在3.9～4.5間，而換替的可行材料包括氟矽玻璃（Fluorinated Silicate Glass；FSG）、黑鑽石（Black ...
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#15high-k - 高k 值；高介電常數 - 國家教育研究院雙語詞彙
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電機工程, high-k, 高介電常數. 學術名詞 電子工程, high-k, 高k 值；高介電常數. 學術名詞 電子工程, high-k, 高k 值； ...
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#16含氧/含氮掺雜碳化矽介電阻障層在多層導體連線應用上之研究
目前一種碳化矽(silicon carbide)材料薄膜，具有低的介電常數(k=4~5)，因此受到廣大的 ... 傳統具高介電常數的氮化矽(silicon nitride) (k~8)，以降低導線系統的延遲時間。
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#17What is MLCC - T&G 帝傑科技有限公司
溫度特性及DF值由於介電陶瓷材料之不同而異,電容值之差異主要由於陶瓷材料之介電常數(K)不同,參考(公式 1). NPO 之K = 30-100. X7R 之K = 2400 - 4000. Y5V 之K = 12000 - ...
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#18高溫起孔洞劑對新型兩相式多孔性介電材料整合之影響
傳統之二氧化矽（SiO2）介電常數在3.9~4.2 之間，若將陰電性極. Page 29. 15. 高之氟原子添加入SiO2 改質，如圖2.8 所示，可降低其極化能力，使κ. 值降至3.5～3.9 左右，稱 ...
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#19Hi-K超高介電常數單層電容(ALTAS®) - 產品資訊 - TECDIA
ALTAS®(Reg.No.3,203,896)是採用高周波特性優良的單層結構設計，可實現體積超輕薄但電容值大的Hi-K單層電容。 日本首創使用K=16,000~50,000高介電質陶瓷基板共有二種 ...
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#20Low k、High k到底在幹嘛？ - ryanwu - 痞客邦
過去IBM微電子發表Low k Dielectric(低介電質絕緣，或稱：低介電常數絕緣) ... 其絕緣性太高，所以要換替成低絕緣性的材料，也就是低介電值的材料。
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#21電容與靜電
其中，ε ＝ ε0×εr，ε0 為真空（空氣）的介電係數，εr 為介質之相對介電係 ... K×. | Q1×Q2 | d2. 公式. 5-15. 公式中K 為常數，與兩電荷間的介質有關. K ＝.
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#22电容器组合介质介电常数与压紧系数关系分析 - 真空技术网
本文通过对组合介质介电常数和元件电容量计算公式的分析， ... 薄膜浸渍苄基甲苯的情况下，随着K值的增大其组合介质的介电常数将减小，但电容量是否会 ...
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#23知識力
介電常數 大(High K)的絕緣材料：代表這種絕緣材料容易吸引電子與電洞， ... 氧化矽製作，氧化矽的介電常數不夠大(K值不夠大)，因此不容易吸引電子與電 ...
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#24知識貼:一文了解低介電常數材料(上篇) - 人人焦點
這些類型的電介質k值通常在3-3.5範圍內。 薄膜材料密度N對介電常數的影響遠大於分子極化的影響，降低N可使其介電常數接近極限值 ...
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#25半導體產業為High K和Low K材料問題所苦 - 電子工程專輯.
在45nm製程上，對關鍵性的閘氧化層導入High K介電質(dielectric)， ... 鉿矽酸鹽沒有足夠高的K值來滿足高性能電晶體的要求，其所需的EOT驅動值包括2~5 ...
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#26電容器和電介質
中最簡單的幾何形狀是平行板電容器，因此，電路中的電 ... 上式為一負值，但在計算電容時，我們是取電容器兩 ... 池的情況下，將兩平板間充滿電介質常數為k的電介.
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#27low-k - 快懂百科
不同电介质的介电常数k 相差很大，真空的k 值为1，在所有材料中最低；空气的k值为1.0006；橡胶的k值为2.5～3.5；纯净水的k值为81。工程上根据k值的不同，把电介质分为 ...
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#28在介電質層中產生氣隙以減少rc延遲之方法與設備 - Google ...
由於相鄰金屬線之間的電容耦合必須被降低以進一步降低積體電路上元件的尺寸，因此元件幾何尺寸的不斷降低已經對具有低介電常數(k)值的膜產生需求。
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#29Low-K （低介电常数） 薄膜
Low-K Films. 为了提高下一代计算机芯片的性能，减少后端互连的延迟以及绝缘此类互连至关重要。实现这一目标的最佳方法之一是使用介电常数（k）值越来越低的层间 ...
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#30氧化铝（Al2O3） 低电介损耗类型| 产品信息
「氧化铝（Al2O3） 低电介损耗类型」 ... 型号, 热膨胀系数×10 -6 /K, 耐热冲击性. K, 热传导率. W/m・K, 电气电阻值Ω・cm, 绝缘耐力 kV/mm, 介电常数, 介质损耗×10 -4.
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#31電容公式介電常數 - Pksubra
若取兩條線的斜率比值，可得約為2.9，這個數值即為塑膠板介電常數εr。 ... 相對電容率ε r 通常稱為介電常數k。 ... 利用電容公式d A C =εε0 算出介電常數k 值。
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#32汞探針CV 量測/ Mercury CV ( MCV ) - Semilab
... 矽材料接觸面積，是測試矽磊晶層的電學參數及Low-K 材料的介電常數的有效方法。 ... 監控介電常數、離子注入參數、氧化層電荷、載流子產生壽命和氧化層的可靠性。
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#33三中山大學物理系- 周啟教授編著- BY NO ND
導體上電荷的絕對值Q,與. 二導體間的電位差(又稱為電壓, voltage)二者的比值等於常數,此常數稱 ... 殼間之絕緣體介電常數為K。求(a)此電容器的電容,(b)介電質內,.
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#34介電常數k - Athlet
2-1-3 介電常數介電材料通常以介電常數εr 代表儲存電荷的能力，以㆒平行板電容為例，若在平板 ... 的介電常數值為1，可以有效降低介電層材料的k 值， 甚至可達1.5 以.
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#35低介電常數薄膜之檢測與製程整合技術探討 - 材料世界網
電材質的相對介電常數（Relative. Dielectric Constant；簡稱為k值），A. 為電容器的面積，t 為介電層的厚度。 二、物性量測. （一）薄膜黏著性.
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#36介電常數k在PTT/mobile01評價與討論 - 速食
此外，另一位作者AxlRose也提到小弟常常逛北車K區地下街每次想吃速食都吃KFC的炸雞加上以前40043那陣子CP值根本爆表可是常常吃KFC也不是辦法於是最近很想去嘗試一下新 ...
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#37低K介质 - 中国大百科全书
由于寄生电容正比于互连线绝缘介质的介电常数k，因此在先进集成电路技术 ... 例如，28纳米节点，通常要求k值低于2.8的互连介质来补偿互连线密度增加 ...
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#38电介质的性质low-K与high-K-中关村在线
不同电介质的介电常数k 相差很大，真空的k 值为1，在所有材料中最低；工程上根据k值的不同，把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。
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#39新型低介電材料之合成與應用之研究研究成果報告(精簡版)
低介電材料(low-k materials)一般是指介電常數k值低於3.9的材料，例如無機的二氧化. 矽、有機的含氟樹脂，以及所謂未來世代的超低介電材料(ultralow- k)：多孔性介電 ...
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#40發明專利說明書
別有關於一種多孔性(porous)之低介電常數(low-k)介電. 層的製造方法。 【先前技術】. 隨著半導體元件的密度增加,電阻/電容時間延遲. (RC time delay)現象對積體電路的 ...
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#41前瞻封裝專欄(9) - CTIMES
銅（Cu）與低介電值（Low-K dielectric）晶圓的發展背景高速、多功能晶片需求量 ... 因此全球各大半導體廠商除了持續投入銅製程技術開發，低介電常數材料製程也將是 ...
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#42低溫微波退火對高介電係數介電層之影響及 - CHUR - 中華大學
Al2O3 由於k 值只有9，. 不足以使等效氧化層厚度(EOT) 做到1.0nm 以下。La2O3 和Y2O3 都有較高的k 值，. 分別為30 和15，但它們在傳統的CMOS 製程中，由於會 ...
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#43介電常數 - 台灣Word
早在1997年，人們就認為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數（k值）將達到1.5。然而隨著時間的推移,這種樂觀的估計被不斷更新。到2003年，國際半導體技術 ...
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#44以原子層化學氣相沉積之高介電薄膜於金氧半場效電晶體的應用
Among the high-k candidates, hafnium oxide (HfO2) has attracted much attention due to its suitable ... 得不考慮使用較高介電常數的材料來取代氧化矽.
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#45low-k_搜狗百科
为了定量分析电介质的电气特性，用介电常数k(permittivity或dielectric ... 电容的容量与电容器的结构尺寸及电介质的k值有关(图1)，其中作为储电材料的电介质的k 值对 ...
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#46第26 章電容器與介電質
26.7 有介電質時的高斯定律 ... 在實際應用上， 1 法拉是個相當大的電值，故通常我們都只使用pF（1 pF ＝ 10 －12 F） ... k 稱為介電常數（dielectric constant）：.
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#471022001INER014 可撓性基板之電性隔研究 - 行政院原子能 ...
當介電常數較小時，兩導線間產生. 的電容值小。 另外，由於用Low K 薄膜當作太陽能電池的電性隔離層可以提高. 太陽能電池的效率，所以本計 ...
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#48介電係數k – 介電常數公式 - Aaeflm
介電常數Dielectric Constant K 相對介電常數是的材料誘電率（介電常數），ε，對可用空間誘電率（ ... 控制低介電係數材料SiOC硬度緻密度,及k值參數的研究__臺灣博碩…
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#49低介電常數材料
高頻無線電波很容易轉移到熱能，然後可能發生傳輸損耗，影響晶片良率。 為了解決這些問題，使用具有低介電常數的材料是一種很好的解決方案。 PBI Advanced Materials 開發 ...
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#50低介电常数(low2k) 介质在ULSI 中的应用前景 - 电子学报
关键词: 极大规模集成电路; 低介电常数材料; 无机介质; 有机聚合物介质. 中图分类号: TN47 文献标识码: A ... 材料,用现有工艺可制得介电常数k 值为215～219 的HSQ.
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#51介電常數k
昇，惟有尋求高介電常數的新材料，以滿足電表㆒表㆒表㆒ 電子產品需求的被動元件數目容值的需求。表㆓為美國喬治亞理工學院的packaging Research Center所預估的電容值需求 ...
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#52上海有机所在低介电常数材料研究领域取得新进展
但是，随着集成电路达到45 nm以下节点，需要介电常数k值小于2.5的超低介电材料，这些聚合物材料往往由于k值较高，难以满足要求。
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#53常用物理常數
普朗克常數h/2π, Planck constant, reduced, 1.05457 x 10 -34 J s. 真空介電常數ε0, Permittivity of free space, 8.85419 x 10 -12 C 2 /Jm. 波茲曼常數kB ...
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#54低介电常数材料 - 维基百科
低介电常数材料语言监视编辑low K材料是当前半导体行业研究的热门话题通过降低集成电路中使用的介电 ... 有报道暗示Black Diamond的K值可以达到2.4。
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#55介電常數定義 - Golfish
介電常數 分為： （1）絕對介電常數（absolute dielectric constant）ε0、定義為1／μ0c2、其中μ0為真空磁導率，c為光在真空中的速度； （2）介電常數，定義為電通量密度D除 ...
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#56當年度經費： 611 千元 - 政府研究資訊系統GRB
關鍵字：三元金屬摻雜氧化鋯薄膜；XPS；介電常數；漏電流；平帶電壓偏移(Flatband ... 若進行順利，將會取得有較高介電係數k 值鉿矽氧氮化合物介電層的最佳參數。
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#57軟性基板厚膜電容元件之研究Study of Thick-Film ... - 義守大學
利用導電粉末的界面偏極化作用，以增加複合材料介電常數，探討不同比. 例的導體粉末添加量對介電特性的影響。 ... 瓷粉末粒徑皆為1μm 所以帶入的k 值相同。
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#58sin介電常數 - 軟體兄弟
為避免整體電容值的升高,低介電材質的銅阻抗層也被提出來取代傳統之氮化矽(SiN; k=7) 薄膜. ,極漏電流的遽增，使用高介電常數材料取代傳統二氧化矽以抑制閘極漏電流的方...
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#59LOW K介质_Fleeta_lsl - 博客- 新浪
因此从电场的角度来看，绝缘体也被称为电介质(dielectric)。不同电介质的介电常数k 相差很大，真空的k 值为1，在所有材料中最低；空气的k值为1.0006；橡胶 ...
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#60具熱穩定性之HfO2 及ZrO2 系列閘極氧化膜之研發與界面鑑定
目前有許多有希望取代SiO2 作為閘極氧化層的的高介電常數材料，如二元氧化物 ... Table 1-2 Comparison of relevant properties for high-k candidates[8]. Materials.
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#61高介電係數介電質材料應用於互補式電晶體、金氧金電容與金屬 ...
而傳統介電層材料二氧化矽(SiO2)應用於相關奈米元件的主要挑戰，在於縮減電子元件 ... To meet this requirement, high dielectric constant (k) materials provide ...
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#62介電常數電容 - Quanx
相對電容率ε r 通常稱為介電常數k。 根據方程式1，電容量與介 ... 更低的介電常數(K)。X7R 和X5R 等Class II 材料則具有中等範圍穩定性和K 值，同時提供更高的電容值。
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#63电常数k - 台灣工商黃頁
静电常数k是在计算电场力大小时一个已被测定的额定常数，又叫静电力常量，数值为k=9.0×109 N·m2/C2 ，它表示真空中两个... 与真空介电常数ε0关系：k=1/(4pi*ε0).
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#64高介電絕緣層對先進金氧半場效應電晶體元件影響之研究
改為使用High－κ 材料，即高介電絕緣層，更能降低閘極漏電流、改善次臨界擺幅 ... On the Impact of high-k gate dielectric for MOSFETs: Simulation-Based Study.
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#65超低介电常数的SiCOH薄膜及其制造方法 - Google
O的低介电常数绝缘体。除非另有说明，本申请中所说的所有k值都是与真空相关测量得到的。 [0003] 比如k值为2. O的聚四氟乙烯（PTFE)就是这样一种材料。然而，当这些介电 ...
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#66104319259 一种超低介电常数薄膜的制作方法 - WIPO ...
本发明公开了一种超低介电常数薄膜的制作方法，通过先对沉积形成的低介电常数薄膜 ... 介电常数薄膜，既能避免介质薄膜倒线的现象，又能使介质薄膜的有效介电常数(K值) ...
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#67半導體介電常數表 - 工商筆記本
半導體製程高介電（ High K）材料的介紹- 臺灣大學化學系. 電容值在無法往面積擴增及厚度縮減㆘提. 昇，惟有尋求高介電常數的新材料，以滿足電. 表㆒ 電子產品需求的 ...
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#68SiCOH 低介电常数薄膜的性质和键结构分析 - 物理学报
关键词：低介电常数，SiCOH 薄膜，化学键结构 ... 材料的k 值应小于2.0［2］ . 目前能够获得超低k 的 ... 图2 SiCOH 薄膜介电常数k 和膜厚的相对变化率随热处理温.
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#69知識貼：一文了解低介電常數材料 - iFuun
這些類型的電介質k值通常在3-3.5範圍內。 methord 3.降低材料密度. 薄膜材料密度N對介電常數的影響遠大於分子極化的影響，降低N可使 ...
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#70介电常数 - 360doc个人图书馆
相对介电常数εr可以用静电场用如下方式测量:首先在两块极板之间为真空的时候测试 ... 年，集成电路工艺中将使用的绝缘材料的介电常数(k值)将达到1.5。
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#71High and Low Dielectric Constant Materials,The ... - X-MOL
硅基电介质（SiO 2、Si 3 N 4、SiO x N y等）已被广泛用作制造硅集成电路(IC) 和几乎所有其他半导体器件的关键电介质。介电常数k 值大于氮化硅(k > 7) 的 ...
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#72第一章緒論
溶膠-凝膠法製成之75 mol%磁電複材，其介電. 常數與介電損失值分別為169.81 及0.002。 Page 72. 72. Frequency(MHz). Dielectric constant. 0.
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#73National Taiwan Ocean University Institutional Repository:Item ...
Study on Etching of Ultra Low-k Dielectric Constant Materials ... 不同比例蝕刻出來後的結果發現薄膜的抗水性上升，K值有降低的情形。
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#74物质学院研究团队在低介电常数材料研究中取得重要进展
目前，新型low k介电材料的研究主要集中在轻元素组成的物质。 ... 阻抗显微镜分析下，研究人员发现该材料具有异常低的k值，仅在2.0~2.5之间（图1）。
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#75介电常数怎么测试_介电常数测试方法 - 电子发烧友网
如果用简单的矢量图表示复数介电常数，那么实部和虚部的相位将会相差90°。其矢量和与实轴（ε'r）形成夹角δ。通常使用这个角度的正切值tanδ或损耗角正切来 ...
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#76鉻緩衝層厚度在鈦酸鍶鋇薄膜之介電性質及機械應力之研究
圖4-4 介電常數與介電損失對不同Cr厚度變化量測圖形…………..56. 圖4-5 電容值對溫度及不同Cr厚度 ... 利信號處理，所以當DRAM 的集積度大於256 k bit 時，便發展出深溝.
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#77介電常數| 電介質物理學單位 - 曉茵萬事通
如果有高介電常數的材料放在電場中，電場的強度會在電介質 內有可觀的下降。 ... 人們就認為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數（k值）將達到1.5。
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#78氮化硼无定形化展现更好的电学性能
论文标题：Ultralow-dielectric-constant amorphous boron nitride ... 研究结果证明了非晶氮化硼所具备的低k值介电特征有潜力应用于高性能电子器件。
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#79水在不同温度下的密度、粘度、介电常数和离子积常数Kw值
水在不同温度下的密度、粘度、介电常数和离子积常数Kw值. Densities, Viscosities, Dielectric Constants and Ionic Product Constants of Water at Different ...
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#80低介电常数介质薄膜的研究进展3
都具有较低的k 值。 21 介质的密度和介电常数. 薄膜密度(或单位体积内的分子数N) 对介电. 常数的影响远大于分子极化的影响,降低薄膜密度. 可使其介电常数接近极限值ε0 ...
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#81低介电常数材料 - 中文维基百科
低介电常数材料（low-K材料）是当前半导体行业研究的热门话题。通过降低集成电路中使用的介电材料的介電係數，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线 ...
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#828. 相对电容率（相对介电常数）｜CHIP1STOP
相对电容率（相对介电常数） ... 每种物质都有本身固有的电容率，这个值是由当给与外界电场时，物质中的原子（或 ... *2 温度t列中的K，表示绝对温度（开尔文）。
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#83第1 章(1.7~1.12) 電子學與半導體
電洞. ▫ 部分電子會脫離原本所屬的原子可供傳導. ▫ 導電性會較好. 釋放電子、產生電洞、填補的過程會促進 ... k = 波茲曼常數(8.62 × 10-5 eV/K) ... 矽的介電常數.
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#84一篇文章说清半导体制程发展史（三） - 分析行业新闻
45nm引入了高k值绝缘层/金属栅极配置。 这个也是一个里程碑的成果，我在 ... 这个就叫做high-k，这里的k是相对介电常数（相对于二氧化硅的而言）。
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#85介电常数的单位 - 与非网
介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，介质中的电场减小与原外加电场(真空中)的比值即为相对介电常数(relative permittivity或dielectric constant)，又称诱电率 ...
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#86AutoCAD 實體模型之公差標註與分析自動化系統
低介電常數材料對二氧化矽覆蓋層化學機械研磨行為之影響. A Study on The Influence of Low-k Material on CMP Process. 研究生：劉興村 指導教授：蔡志成、戴寶通、 ...
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#87介電常數k 常用物理常數 - Nodxk.co
High-k正是一種較厚而在未來幾年極有可能取代現今二氧化矽的技術。 High-k意指高介電常數，Eg值，Q值等） 光特性量測（穿透率，表征電介質或絕緣 ...
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#88介電常數表 - Brigitte
Material 物質名* 溫度( C) 介電常數DIELECTRIC CONSTANT REFERENCE GUIDE介電常數參考表AZOXYANISOLE 氧化偶 ... 根據物質的介電常數可以判別高分子材料的極性大小。
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#89低k介电材料的失效分析方法- CN101988909B | PatentGuru
二氧化硅的介电常数 为4.0，而FSG是指氟掺杂的二氧化硅，其介电常数约为3.5，均已难以满足需 求。现有的一种新型低k(k值不大于3.5)介电材料是应用材料公司所生产的 黑 ...
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#90介電常數k
低介电常数材料或称low-K材料是当前半导体行业研究的热门话题。通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，降低 ...
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#91為什麼電介質的介電常數一定是定值 - 好問答網
為什麼電介質的介電常數一定是定值,1樓群魔亂舞這個電介質常熟本來就是一個實驗資料沒有什麼理論可言如果全是理論的話就沒有實驗物理這一科了就如同 ...
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#92介電系數
乾燥物體的介電常數約在3 與8 之間，水則達80 左右。 ... 介電係數k 此页面最后编辑于2021年12月15日(星期三) 18:46。
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#93測試介電常數，利用阻抗分析儀分析材料的介電損耗 ... - YouTube
介電常數 又稱之介質常數或是電容率，是一種表示絕緣能力特性的一個係數，以字母ε表示，單位為法/米。 介電常數 可以說是在電的位移和電場強度之間存在的 ...
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#94low k 材料– 介電係數表 - Nicolago
所謂low-k（低介電常數值）就是指介電常數（dielectric constant）比較小的 ... High-K和Low-K 电介质材料不同电介质的介电常数k 相差很大，真空的k 值为1，在所有材料 ...
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#95介電係數k
的介電常數值為1，可以有效降低介電層材料的k 值， 甚至可達1.5 以. 但是也會存在另㆒個問題， 極為機械強度的降低， 在製程整合的困難. 於是研發出在SiO2 結構存在排列 ...
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#96介電常數實驗二 - Voajcr
由於弛豫現象使動態的介電常數和靜態介電常數不同，電阻係數） 磁特性質量測（B-H曲線， 自由離子數增加溶劑的黏度— 低黏度，當k值越高， 以提高離子的遷移速度(但是高 ...
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#97k常數
平衡常數值大小與反應程度的相關性： 平衡常數K值＞1時，表示反應較易向生成物 ... 相對介電常數ε r （有時用κ 或K表示）定義為如下比例: 其中ε s 是指介質的靜電介 ...