Intel 今日公開了現在及未來製程與封裝技術發展規劃，看起來前途一片光明~
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【SiCＸGaN 卡位戰起跑！】

儘管目前 SiC 晶片成本仍較 IGBT 貴上 4～5 倍，然著眼於碳化矽 (SiC) 功率器件將受惠於全球交通電氣化轉型的不斷前行——從火車、有軌電車和無軌電車，到公共汽車、小汽車和電動汽車充電樁，微芯科技 (Microchip) 宣佈推出 SiC 功率模組套件，讓開發者無需再單獨採購功率模組和閘極驅動器 (包括用於成品生產的閘極驅動器)，不必在檢驗功率模組後又花費時間開發自己的閘極驅動器，可大幅縮短數個月的開發週期。

另有鑑於目前氮化鎵 (GaN) 市場，功率電晶體和驅動 IC 通常是離散元件，使設計人員必須學習兩者間的協同作業以達到最佳性能，意法半導體 (ST) 推出全球首個單封裝整合矽基驅動晶片和 GaN 功率電晶體的解決方案；而恩智浦半導體 (NXP) 亦為 5G 射頻功率放大器 (PA) 於美國錢德勒啟用全新 6 吋 (150mm) 氮化鎵晶圓廠，針對氮化鎵技術進行深度最佳化，改善半導體中的電子陷阱 (electron trapping) 問題，藉由一流的線性度提供高效率和增益。

製程方面亦有所突破。派科森 (Picosun) 公司利用原子層沉積 (ALD) 薄膜塗層解決上述困境：將預清洗方法與高介電常數和大能隙絕緣子結合使用可降低介面陷阱密度。與此同時，為滿足寬能隙設備測試需求，量測大廠太克科技 (Tektronix) 推出新型參數測試系統，可為晶圓廠最大程度減少投資並最大化每小時的晶圓產出。寬能隙半導體也牽動變壓器產業的生態，為平面變壓器 (Planar Transformer) 帶來需求轉捩點。

延伸閱讀：
《SiC、GaN 初入成長期，創新方案輩出》
http://www.compotechasia.com/a/feature/2020/1112/46363.html

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【2014傑出校友-馬佐平】

學術類傑出校友『全球半導體科技領域的權威學者』馬佐平

馬佐平院士1968年畢業於國立臺灣大學電機系。並先後於1971年、1974年獲得耶魯大學碩士、博士學位。畢業後在IBM從事研究，1977年起任教於耶魯大學，並兩度出任電機工程系主任，現任耶魯大學工程與應用科學院講座教授。

馬院士以半導體物理及科技專長享譽國際，首倡以氮化矽作為MOS柵介質、取代二氧化矽的概念，並以實驗證明其可行性。此項關鍵技術的突破，被视为现代高介電常數柵極電介質科技的先驅，幫助了半導體科技產業邁進全新的世代，也促成了現今無數電子科技產品的大幅進展。

馬院士曾獲頒美國電機及電子工程學會葛洛夫獎、潘文淵傑出研究獎、康乃狄克州科技勳章等國際崇高榮譽的獎項。2012年獲選中央研究院院士，同時也是美國國家工程院院士、中國科學院外籍院士。

馬佐平院士，長期以來，在學術、科技領域所做的基礎研究，為全球半導體科技進展奠下基礎與典範。

https://www.youtube.com/watch?v=WsucJPeUPN4