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HDP-CVD作用机理-技术资料 - IC电子元件

为了形成高密度等离子体,需要有激发混合气体的射频(RF)源,并直接使高密度等离子体到达硅片表面。NCV8403ASTT1G在HDPCVD反应腔中(见图4.14)[1彐, ...

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