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#1化學氣相沉積:高密度電漿源 - 電子工程專輯.
電容式「二極體」電漿源常見於化學氣相沉積,其反應腔製造簡單並且具備多種功能,但是也有些限制。增加射頻功率未必能增加電漿密度:尤其在低壓下增加 ...
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#2化學氣相沉積- 維基百科,自由的百科全書
化學氣相沉積 (英語:chemical vapor deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將 ...
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#3高密度電漿輔助化學氣相沉積系統(Inductively Coupled Plasma ...
高密度電漿 輔助化學氣相沉積系統(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition, ICP-CVD). 最後更新日期: 2021-08-10. 設備原理:.
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#4第五章電漿基礎原理
高密度電漿 (HDP)源的游離率就高 ... (PECVD) 電漿增強化學氣相沈積法. • PECVD 使用SiH. 4. 和NO. 2. (笑氣) ... 越高壓,MFP越短,電子碰撞頻率高,能量低.
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#5第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
CVD 製程中會遇到許多問題如微粒Particle,薄膜厚度之. 一致性,沉積薄膜應力Stress 等問題,會選定Wafer Arcing 為主題是因為電漿中. 之Arcing 無法預知何時發生,無法 ...
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#6轉寄 - 博碩士論文行動網
詳目顯示. Email地址: 轉寄. 展開. twitter. line · 我願授權國圖 · 國圖紙本論文. 研究生: 賴建修. 研究生(外文):, Mican Lain. 論文名稱: 高密度電漿CVD技術的發展與 ...
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#7高密度電漿CVD技術的發展與挑戰賴建修
高密度電漿 CVD技術的發展與挑戰. 賴建修、鍾翼能. E-mail: [email protected]. 摘要. 在微電子電路製程技術中,應用化學氣相沉積技術來沉積介電質薄膜已經被廣泛 ...
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#8CVD鍍膜技術
化學氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition,CVD)是一種用來產生純度高、性能好的固態 ... 原子層沈積(ALD); 射頻電漿化學沈積(PECVD); 微波電漿化學沈積(MPCVD) ...
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#9我們的製程
電漿 輔助CVD (PECVD)、高密度電漿CVD (HDP-CVD) 和ALD用於形成可隔離和保護所有這些電性結構的關鍵絕緣層。 針對各種的材料與嚴苛的特徵結構,我們的薄膜沉積產品可為各種 ...
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#10TWI485283B - 改善以電漿增強化學氣相沈積法(pecvd ...
此包含(但不限於)電漿增強CVD製程、熱CVD製程、高密度電漿CVD等。所有上述製程條件可在表1所示之實例範圍外改變,只要使用乙炔作為製程氣體即可。
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#118吋高密度電漿輔助化學氣相沉積系統(HDPCVD)簡介
8吋高密度電漿輔助化學氣相沉積系統(HDPCVD)簡介. System Configuration. 1. System Maker : Applied Materials.Inc; 2. System Model : Centura 5200; 3.
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#12電漿輔助化學氣相沉積法於矽薄膜太陽能電池的應用
和電漿輔助化學氣相沉積(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD),以及熱化學氣相沉積. (thermal CVD) 等,但目前最常使用在矽薄膜太陽.
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#13化學氣相沉積與介電質薄膜
沉積在基材表面. • 較低溫的. 較高的成長率. • 高品質的. • 較高的成長率 ... 電漿增強型化學氣相沉積(PECVD) ... 高密度電漿CVD 氧化物製程. 多晶矽和氮化矽.
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#14大氣微電漿 - 政府研究資訊系統GRB
甚高頻(very high frequency, VHF)電漿具高密度與結構簡單優點,在大面積電漿化學氣相沉積鍍膜(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)應用尚可提升鍍膜 ...
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#15半導體化學氣相沉積膜厚之預測使用神經網路
二、本研究經由高密度電漿化學氣相沉積法(HDP-CVD)製程的厚度預測驗. 證,說明了倒傳遞類神經網路可有效的預測薄膜成長的厚度,可作為系. 統或工程人員調整的依據。
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#16高密度電漿化學氣相沉積系統之相關製程參數對矽薄膜結晶性和 ...
高密度電漿化學氣相沉積 系統之相關製程參數對矽薄膜結晶性和摻雜特性的影響之研究. Study on Effects of Process Paramenters to Crystallinity and Doping ...
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#18半導體製程技術 - 聯合大學
電漿 增進化學氣相沉積化學反應. ▫ PECVD氧化物的製程用矽烷和NO. 2. (笑氣) ... 電漿增進化學反應. ▫ 在相對低溫下,PECVD可達高的沉積速率 ... 高密度電漿CVD ...
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#19使用極高頻電漿輔助化學氣相沈積系統製作氫化非晶矽薄膜應用 ...
[19]Marieke K. van Veen, Ruud E. I. Schropp, “Amorphous silicon deposited by hot-wire CVD for application in dual junction solar cells” , Thin Solid ...
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#20常用的鍍膜製程
化學 方法:Chemical vapor deposition (CVD). 化學氣 ... 金屬有機化學氣相沈積(Metal-organic CVD, MOCVD) ... 電漿增強化學氣相沈積(plasma-enhanced CVD)中反應氣體.
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#21微光電實驗室 機台介紹:蝕刻類機台 - 國立中央大學光電科學 ...
儀器功用:低溫高密度之SiO2及Si3N4膜之沉積; 財產編號:3013208-17-00001; 購置日期:2006年12月; 廠商:帆宣. SAMCO PECVD. 儀器中文名稱:電漿輔助化學氣相沉積系統 ...
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#22行政院原子能委員會委託研究計畫研究報告電漿系統監控模擬 ...
... 製備高品質的有機元件之. 封裝。 關鍵字:有機發光二極體、電漿輔助化學氣相沉積系統、水氧阻障 ... 要求高電漿密度外,其均勻度更是影響電漿製程產品良率的最重.
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#23Centura® Ultima HDP-CVD® | Applied Materials
應用材料公司的Centura Ultima X HDP‑CVD (高密度電漿化學氣相沉積) 反應室生產能力高,便於維護保養。 該系統的反應器採用獨特的設計和製程技術,既可沉積無摻雜 ...
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#24低壓化學氣相沉積氧化鋅奈米線光電特性及成長機制之探討
2.緩衝層濺鍍使用高真空射頻濺鍍機(聚. 昌科技,Psur-100HC)預鍍緩衝層,濺鍍於. Si(100)基板。電漿表面改質,使用射頻RF. 電漿對於Si(100)基板表面之處理。 3.使用低壓 ...
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#25成功大學電子學位論文服務
2-3-1 為什麼要使用高密度電漿化學氣相沉積………………………………………13 ... 而通過微放電陣列孔洞的高流量氣體可以有效的將電極冷卻,並維持相當高的電漿效率。
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#26關鍵詞 - 工業技術研究院
以電漿輔助化學氣相沉積設備進行低溫微晶. 矽薄膜的成長,在太陽能產業中引起極大的注. 意,特別是在製造矽薄膜太陽電池上。藉由矽甲. 烷(SiH4)與氫氣(H2)混合後,經由 ...
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#27電子材料連水養(S. Y. Lien) 電漿的基礎原理、製程與應用
高密度電漿 (HDP)源的有較高的游離 ... 偵測電漿的發光變化來決定蝕刻和化學氣相. 沉積 ... 電漿增進化學氣相沉積化學反應. ▫ PECVD氧化物的製程用矽烷和NO. 2. (笑氣).
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#28最新消息-訊息公告 - 新竹科學園區管理局
ETCHER)、電漿輔助化學氣相沉積設備(PP2001D PECVD)、活性離子蝕刻設備(PP2001E RIE)、高密度電漿化學氣相沉積設備(hdp CVD)、多腔式連續製程設備、射頻產生器(RF ...
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#29高密度電漿化學氣相沉積系統
中文名稱:高密度電漿化學氣相沉積系統. 英文名稱:High Density Plasma Chemical Vapor Deposition. 二、儀器廠牌、型號:. 聚昌,Ciede-200. 三、儀器功能:.
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#30Thin-Film Deposition Principles & Practice
4. 高密度電漿CVD (High Density Plasma CVD, HDP CVD):. 即電漿密度較一般傳統PECVD之反應裝置還高的一種電. 漿設計。應用於CVD的高密度電 ...
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#31化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition) - PDF4PRO
高溫氧化矽(摻雜及. 未摻雜)、氮化矽、. 多晶矽以及WSi2。 電漿CVD. 電漿增加CVD. (PECVD). 高密度電漿CVD. (HDPCVD).
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#32電漿氣相沉積化學氣相沉積:高密度電漿源 - Dykpo
建立與沉積材料在物理氣相沉積(PVD) 中,材料在高真空下從高純度靶材濺射到基板上。在化學氣相沉積(CVD) 中,化學前驅物被導入到製程反應室,熱能或電漿在此處引發化學反應 ...
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#33申請日期
10 高密度電漿化學氣相沉積系統. 13 反應室. 14 圓頂. 16 電漿製程區. 17 基板. 18 基板支撑元件. 基板接收部分. 靜電吸盤. 加熱板. 冷卻板. 節流閥本體. 雙葉片節流閥.
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#34CVD繁体_百度文库
電子迴旋氣相沉積法(ECR-CVD) 氫化氧化矽(SiOX:H)薄膜的特性與在矽晶異質介面太陽電池上的應用。ECR-CVD 屬於高電漿密度的薄膜沉積製程設備,主要是以磁場內的電子迴轉 ...
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#35製程儀器 - 高屏地區奈米核心設施建造
設備名稱, 負責老師, 助理, 聯絡電話, 使用規範, 認證參考, 相關課程. 高密度電漿化學氣相沉積系統(HDP-CVD) High Density Plasma Chemical Vapor Deposition ...
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#36CTIMES - 應用材料推出Ultima X HDP-CVD設備
應用材料公司Ultima高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD:High Density Plasma - Chemical Vapor Deposition)家族再添新成員。新推出的Ultima X設備將提供下一世代元件所 ...
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#37大面積石墨烯電極成長技術 - 機械工業網
activated carbon 2.8 V system. 關鍵詞:電漿輔助化學氣相沉積、石墨烯、超級電容. Keywords:Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) ...
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#38諾發SPEED MAX高密度電漿輔助氣相沉積充填薄膜系統擴展應用
為了實現完整的填空能力而不使用濕法刻蝕步驟,必須調整最佳化晶圓上製程參數,如S/D值,化學反應和蝕刻均勻性。
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#39氣相沉積法 - 中文百科知識
化學氣相沉積 (CVD)是半導體工業中套用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大範圍的 ... 亞常壓CVD(SACVD),超高真空CVD(UHCVD),電漿增強CVD(PECVD),高密度電 ...
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#40電漿系統ODM服務
感應耦合高密度電漿系統(ICP System) .電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD) .濺鍍系統(Sputtering System) .離子披覆系統(Ion-Plating System)
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#41Microsoft PowerPoint - Chap8_化學氣相沉積
31 HDP CVD 高密度電漿(HDP): 電漿密度較PECVD 還高的一種電漿設計(a) 顯示以傳統PECVD 所沉積的薄膜, 其階梯覆蓋的情況把經PECVD 沉積後的晶片, 做局部的蝕刻, ...
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#42電漿增強式化學氣相沈積法(PECVD)
在CVD的反應中,氣體分子的分解須要足夠的激發能量。在電漿增強化學氣相沈積法(plasma-enhanced CVD)中,反應氣體在電磁場中獲得能量,各種化學反應在電 ...
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#43發展歷程| 莎姆克
莎姆克股份公司是位于日本京都的半导体设备厂商,提供世界最先进的沉积设备、刻蚀 ... 發表高密度電漿ICP蝕刻設備RIE-101iP ... 發表研究實驗用的電漿CVD設備PD-2203L.
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#44300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台 - 諸彼特 ...
300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台於經濟部技術處–可移轉技術資料集。技術名稱(中文):300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台,執行單位:中科院飛彈 ...
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#45感應耦合電漿蝕刻 - 矽碁科技股份有限公司
使用Tornado ICP線圈,ICP電漿高達2000W,可增強低溫下的沉積。 低損壞,高速率處理,高深寬比。 基板具有氦氣冷卻 ...
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#46氣相沉積法 - 中文百科全書
CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類,包括低壓CVD(LPCVD),常壓CVD(APCVD),亞常壓CVD(SACVD),超高真空CVD(UHCVD),電漿增強CVD(PECVD),高密度電漿CVD(HDPCVD) ...
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#47【大享】 半導體製程技術導論(第三版) 9789572195758 全華 ...
... 電質CVD製程406 10.6 塗佈旋塗矽玻璃420 10.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 421 10.8 介電質CVD反應室清潔424 10.9 製程發展趨勢與故障排除428 10.10 化學氣相沉積製程 ...
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#48微波電漿化學氣相沉積法於矽基材上成長鑽石薄膜Growth of ...
波電漿化學氣相沉積(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)的方 ... 密度大大的增高了,並且也可以注意到鑽石的晶種,是沿著矽基材表面的缺陷來.
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#49電漿化學氣相沉積英文 - 三度漢語網
中文詞彙 英文翻譯 出處/學術領域 電漿化學氣相沉積 plasma chemistry vapor deposition 【機械工程】 電漿化學氣相沉積 plasma chemical vapor deposition 【機械工程】 微波電漿化學氣相沉積 microwave plasma chemical vapor deposition 【材料科學名詞‑兩岸材...
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#50加值中心展示室
並藉此使條件來規劃設備製程參數範圍(功率密度)、真空性能(壓力)、硬體(電極間距)。 電漿化學氣相沈積原理. http://www.g3ynh.info/disch_tube/misc/Paschen_curves.
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#51可移轉技術 - 金屬工業研究發展中心
技術現況敘述, 化學氣相沉積設備(CVD)饋入的功率頻率提升至VHF (30~100 MHz) ... 可應用範圍, 射頻功率分配饋入技術應用在電漿輔助化學氣相沈積設備(PECVD),主要市場 ...
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#52研究機構能源科技專案106 年度執行報告
子項1、高頻電漿強化化學氣相沉積製程設備開發. 1. 完成連續式40.68MHz 超高頻電漿強化化學氣相沉積製程設備In-Line. PECVD (沉積i/p/i/n 薄膜)真空 ...
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#53化學氣相沉積應用化學氣相沉積 - Cyujk
AST聚昌科技Cede-200電漿輔助化學氣相沉積系統,在基底表面發生化學反應或/及化學化學氣相沉積概觀化學氣相沉積(英語: chemical vapor deposition ,而所沈積的材料 ...
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#54【19】中華民國【12】專利公報( B) - IR
6. 如申請專利範圍第1 項所述之疏水性二氧化矽層的製造方法,其中該電漿化學氣相沉積. 系統包括電漿輔助化學氣相沉積(PE CVD)系統、高密度電漿化學氣相沈積(HDP CVD)系. 統 ...
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#55BRANDS/ 代理產品 - 科榮股份有限公司
特色與效益產品敘述電漿增強化學氣相沉積系統(PECVD) ... 底直接置於加熱電極上氣體通過頂電極上的噴淋頭式進氣口進入反應室工作壓強0.5-1.0托功率密度0.02-0.1Wcm-2
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#56表9 - 淡江大學
電漿 的定義. 2.離子轟擊. 3.直流偏壓. 4.電漿製程的優點. 5電漿增強化學氣相沉積法及電漿蝕刻反應器. 6.高密度電漿. ○, ○. 9, 離子佈植, 1.離子佈植製程. 2.安全性.
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#57行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告- 電漿輔助原子層 ...
電漿 輔助原子層化學氣相沉積在銅連線結構之多孔性超低. 介電層之製程整合應用 ... 經過煅燒後的奈米孔洞二氧化矽薄膜,利用高密度電漿系統做電漿處理。其所使用的電.
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#58高密度電漿化學氣相沉積設- 供應產品- 晶研科技股份有限公司
產品:. 高密度電漿化學氣相沉積設. 品牌:, 高密度電漿化學氣相沉積設. 單價:, 面議. 最小起訂量:. 供貨總量:. 發貨期限:. 有效期至:, 長期有效.
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#59半導體製程技術導論(第2版) | 誠品線上
... 電漿基本概念2367.3 電漿中的碰撞2387.4 電漿參數2427.5 離子轟擊2477.6 直流偏壓2497.7 電漿製程優點2517-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器2557.10 高密度 ...
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#60高密度電漿輔助化學氣相沉積(HDPCVD)
構建中...敬請期待. 版權所有翻印必究, 地址:新竹市西大路643巷53號6樓, 電話:03-5240157 傳真:03-5240217.
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#61Jusung Engineering Co.,Ltd - MoneyDJ理財網
半導體設備,包括空間分化學氣相沉積(SDCVD)設備,乾式蝕刻機,蝕刻機、高密度電漿(HDP)CVD設備斜面,高密度等離子體(HDP)CVD設備,超高真空 ...
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#62以化學氣相沉積法製備之二氧化鈦光催化活性研究(2/2)
本研究係以電漿激發化學氣相沉積(PECVD) 法,利用氮氣輸送. 四異丙基鈦酸酯(Ti (OC3H7) 4) 之 ... 晶相的密度為3.89 g/cm3,能隙為3.2 eV;Rutile 晶相的密度為4.25.
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#63【hdp cvd原理】第五章電漿基礎原理 +1 | 健康跟著走
使用電漿的好處... 高密度電漿(HDP)源的游離率高出很多,大. 約1%. 約1%. ... Plasma Enhanced CVD. 中使用矽烷. 和氧的 ... ,PECVD 製程原理, 電漿原理、CVD Clean ...
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#64用於沉積多數含矽膜之組合物
... 物三矽烷基胺(TSA)進行氮化矽的高品質電漿強化化學氣相沉積(PECVD)之方法。 ... 熱化學氣相沉積、電漿強化化學氣相沉積(“PECVD”)、高密度PECVD、光子輔助CVD、電 ...
於ftp
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#65半導體製程技術導論(第三版) - 博客來
7.7 電漿製程優點251 7-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器255 7.10 高密度電漿製程260 7.11 本章總結262 習題263 參考文獻263 第八章離子佈植製程265
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#66薄膜製程
所謂化學氣相鍍膜法是利用膜材料之氣體化合 ... ii)電漿濺鍍法(Plasma Sputtering Deposition) ... 程中不會包雜其它氣體則膜質密度高,硬度.
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#67以常壓電漿輔助化學氣相沈積製備疏水薄膜
而通常製程需求所需. 要的電漿需有高電漿密度且均勻、高工作時間之優點來進行材. 料表面處理。 本研究中,我們將探討疏水薄膜製備於玻璃表面,疏水薄. 膜以FAS 作為鍍膜單 ...
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#68hdp cvd原理 - 軟體兄弟
hdp cvd原理,化學氣相沉積(CVD). • 化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition). ... 高密度電漿(High density plasma ,HDP)的游. , 图1 所示即为在超大规模集成电路 ...
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#69PVD / CVD薄膜沈積(Thin Film Deposition)www.tool-tool.com
?/span>離子化?Ionized),而不再如傳統濺鍍的是中性原子,也因此IMP電漿密度會較一般濺鍍為高, ...
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#70電漿基礎實驗
薄膜製造:濺鍍(Sputter deposition)、電漿輔助物理氣相沉積(Plasma assisted ... 若干化學氣相沉積法甚至動用電子迴旋共振(Electron cyclotron resonance)來提高電子 ...
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#71化學氣相沉積:高密度電漿源
電容式「二極體」電漿源常見於化學氣相沉積,其反應腔製造簡單並且具備多種功能,但是也有些限制。增加射頻功率未必能增加電漿密度:尤其在低壓下增加 ...
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#72晶圓的處理-薄膜
化學 蒸氣沉積. • 濺鍍. • 擴散. • 離子植入 ... 薄膜堆積法:使用化學蒸氣沉. 積(chemical vapor deposition, ... PECVD(電漿加強CVD, plasma enhanced CVD).
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#73電漿加強化學氣相沈積系統-台灣經貿網 - Taiwantrade
主要特徵. 低功率密度等離子體用於加速金剛石CVD生長速率. 靈活的配置,適用於要求嚴格的聚乙烯和單晶工藝. 不銹鋼冷壁室. 加熱和/或冷卻階段.
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#74電漿輔助化學氣相沉積 - 大永真空設備
電漿 增強化學氣相沉積(PECVD)技術是材料表面改質和薄膜沉積的基本方法之一,利用電漿讓有機單 ... 此膜層具有高阻隔性及親/疏水性,非常適合車燈反射膜產品之底/面塗處理。
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#75氣相沉積法 - 華人百科
CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類,包括低壓CVD(LPCVD),常壓CVD(APCVD),亞常壓CVD(SACVD),超高真空CVD(UHCVD),電漿增強CVD(PECVD),高密度電漿CVD(HDPCVD)以及快 ...
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#76電漿輔助化學氣相沉積系統 - 陽明交通大學
探索使用此設備的研究領域。這些標籤是根據相關成果而產生。共同形成了獨特的指紋。 Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition ...
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#77How it Works: 氣相沉積| 玻璃時代| 康寧 - Corning
一層又一層的蒸汽與玻璃微粒產生反應,最終形成超純淨的玻璃。取下餌桿後,完美的玻璃管(被稱為「預製棒」)將在極高溫度下被壓實,並 ...
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#78具有亲水性微孔和疏水性间隙空间的微制造装置的制作方法
通过利用微通道的表面化学产生的毛细管效应,毛细管微流控技术可在无需 ... 对于包含高密度微孔阵列且没有微通道互连的平台,装载孔阵列并保持孔中的 ...
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#79什么是高胆固醇食物有哪些(哪些食物是高胆固醇的食物)
例如,高水平的低密度脂蛋白(LDL) 会导致血管壁中的胆固醇沉积,从而导致:. 动脉阻塞; 中风; 心脏病发作; 肾功能衰竭. 相比之下,高密度脂蛋白(HDL) 有助 ...
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#80半導體製程設備技術 - 第 148 頁 - Google 圖書結果
化學氣相沉積設備包含所有的常壓與低壓爐管,因應不同的製程需求又分為高真空或超高 ... 隨著電漿密度差異又可區分為高密度電漿化學氣相沉積(High Density Plasma CVD, ...
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#81半導體製程設備 - 第 109 頁 - Google 圖書結果
第四章化學氣相沉積爐 4.1 緒論化學氣相沉積( chemical vapor deposition , CVD ) ... 而 I - V 化合物半導體專用的為 MOCVD ,近來有用以微波電源產生高密度電漿製作的 ...
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#82深次微米矽製程技術 - 第 77 頁 - Google 圖書結果
依沉積方式可分為旋轉塗佈沉積( spin on deposition , SOD )和化學氣相沉積( ... 摻氣的二氧化矽( fluorinated SiO2 )沉積方法電漿加強 CVD ( PECVD )高密度電漿 CVD ...
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#83太陽能光電技術 - 第 121 頁 - Google 圖書結果
因此電漿式化學氣相沉積系統中產生的化學反應所需的能量主要來自於電漿催化而非 ... 在此高密度電漿化學氣相沉積系統(圖 4.13 )中,在電漿鐵盒子裡,盒子裡感應線圈以渦 ...
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#84物理氣相沉積化學氣相沉積比較 - Gustavob
以化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition, CVD) 合成的石墨烯,雖品質較高,但卻仍具有不少結構缺陷,以致於其物理或化學特性上仍與天然石墨烯有很大的落差。. 加上 ...
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#852009年第31卷第11期 - 工程科学学报
气-液-固变相态复杂渗流微观实验研究. 朱维耀, 孙玉凯, 燕良东, 宋洪庆, 胡永乐. 2009, 31(11): 1351-1356. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2009.11.037.
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#86吋高密度电浆辅助化学气相沉积系统(HDPCVD)简介.PPT
8吋高密度電漿輔助化學氣相沉積系統(HDPCVD)簡介System Configuration 1. System Maker : Applied Materials.Inc 2. System Model : Centura 5200 3.
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50、基于碳达峰背景下的气电互补高效制冷装置-深燃慧能机. 51、智能型综合配电箱 ... 67、垃圾焚烧飞灰富氧熔融制备高性能保温材料技术开发研究.
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#88大氣電漿處理(Atmospheric Plasma Treatment) - 原晶半導體設備
大氣電漿處理適用於in-line或對大部件的小區域進行電漿處理(這些部件對於真空或batch型電漿來說太大)。大氣電漿能非常有效地活化及清洗材料表面,以 ...