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GAAFET電晶體將決定能否順達到3nm工藝- 楠木軒

TechSpot指出，GAAFET有諸多型別，目前已知的是三星將採用基於奈米片的多橋溝道場效應電晶體(簡稱MBC-FET)的方案。 三星的MBC-FET可視作FinFET的側面翻轉 ...

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