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GAAFET電晶體時代即將到來！但FinFET仍是主流 - 中國熱點

三星在年初的IEEE國際固態電路大會(ISSCC)上，公布3nm製造技術的一些細節，包括類似全柵場效應電晶體(GAAFET)結構，率先開啟先進工藝在技術架構上的轉型。

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