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高性能鍺積體電路元件之閘極與通道工程

因此，通道和閘極堆疊工程的研究與開發是實現高性能IC元件最關鍵的製程技術。 ... 磊晶矽鍺(Epi-SiGe)通道厚度如果大於其臨界厚度，則可能會在SiGe通道中產生缺陷。

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