你即將離開本站

並前往https://nanofc.web.nycu.edu.tw/%E9%9B%99%E9%9D%A2%E5%85%89%E7%BD%A9%E5%B0%8D%E6%BA%96%E6%9B%9D%E5%85%89%E6%A9%9Fb-double-side-mask-aligner-b/

雙面光罩對準曝光機(B) (Double Side Mask Aligner (B))

Y-Axis 移動範圍, ±10mm (總行程20mm). 晶片尺寸/厚度, 最大使用尺寸為四吋/厚度4mm. 使用背面對準系統_光罩需將Align Mark製作的位置 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「Alignment mark 原理」的人也找了：

  1. wafer aligner原理
    2.
  2. 微影製程五大步驟
    3.
  3. 四種對準和曝光系統
    4.
  4. 曝後烤目的
    5.
  5. 光阻塗佈原理
    6.
  6. 掃描式曝光機原理
    7.
  7. overlay量測原理
    8.
  8. 正光阻負光阻
    9.