你即將離開本站

並前往http://www.sohu.com/a/353871773_99955608

14 nm 工艺光刻对准之异常问题与对策分析_Wafer - 搜狐

Analysis and Improvement for Lithography 14 nm Wafer Alignment ... 它是利用光化学反应（photo-chemical-reaction）原理，将事先制备在掩膜上的 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「Alignment mark 原理」的人也找了：

  1. wafer aligner原理
    2.
  2. 微影製程五大步驟
    3.
  3. 四種對準和曝光系統
    4.
  4. 曝後烤目的
    5.
  5. 光阻塗佈原理
    6.
  6. 掃描式曝光機原理
    7.
  7. overlay量測原理
    8.
  8. 正光阻負光阻
    9.