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前瞻性奈米探針陣列之製作與應用

圖3-1-2 多晶矽蝕刻八分鐘平面照以及圖3-1-3 單晶矽蝕刻八分鐘平面照為比較蝕. 刻時間八分鐘時，單晶矽晶片和多晶矽為基材的蝕刻形狀，都會隨著蝕刻時間增加變成. 菱形， ...

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