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TWI434418B - 高壓元件及其製造方法 - Google Patents

第1圖顯示先前技術之雙擴散金屬氧化物半導體(double diffused metal oxide semiconductor,DMOS)元件剖視圖。如第1圖所示，P型基板11中具有複數絕緣區12，以定義元件 ...

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