此區域會阻隔電子、電洞中和也稱障壁區。 障壁電壓矽0.6~0.7V. 鍺0.2~0.3V. (2) 順向偏壓擴散電流空乏區窄. 逆向偏壓漂移電流空乏區寬. 考點. 質量作用和電中性定律.
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