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p型與n型超薄金氧半電容元件電流穿隧行為之比較與探討

經由理論公式搭配由實驗結果取得的數據來模擬得到了一個結論，反曲點就是元件從平能帶 ... 而我們在n型矽基板的金氧半電容元件的順向偏壓區並沒有看到反曲點的現象， ...

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