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高電阻率Cr1-x-Six 薄膜電阻之研製 - 國立中山大學

將沉積後的薄膜，在大氣下以快速熱退火，退火溫度450℃，可發. 現電阻率及電阻溫度係數均有明顯的影響。 本研究結果顯示，28wt%Cr-72wt%Si 的薄膜在經過退火後有較大的片 ...

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