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案號91120919

Reactive Ion Etch)製程是用來蝕刻在矽晶圓上的微. 細圖案。 反應式離子蝕刻包含了將一個有光阻圖案的晶圓. 放在一個具有電漿的反應室。 電漿包括了蝕刻氣體(.

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