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風傳媒高峰論壇《2022大趨勢》｜ 疫後經濟‧ 獨家解析

... 則以氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC) 等具備高速、抗高溫高壓的化合物為主，其具有高功率、耐高溫、高電流密度、高頻等特性，可使晶片面積大幅縮小，簡化周邊電路設計。

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