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一種閘極結構以達成無電滯特性之負電容場效電晶體 - 未來科技館

達成次臨界擺幅60mV/decade的同時，元件有足夠大的導通電流及無電滯現象的輸出特性曲線。 產業應用性, 降低功率損耗可應用於需要次臨界擺幅(sub-threshold slope) 60mV/ ...

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