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電子遷移率超過104平方厘米/VS中的AlGaN-GaN異質結生長在 ...

基於壓電場效果， 2DEG面密度的Al的組分依賴性進行了計算，這與實驗結果吻合很好。負磁阻與在低磁場拋物面磁場的依賴性，也觀察到在樣品中具有最高的2DEG ...

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