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動態隨機存取記憶體(DRAM)電容清洗技術之研究 - 國立交通 ...

最後的最佳化條件經重複驗證後，被證實可用於60nm以下之動態隨機存取記憶體世代且對於產品良率具有顯著改善。 In a modern stacked-capacitor DRAM device, ...

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