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氮化矽基板- 半導體製程 - 凱寶智能自動化股份有限公司

單晶氮化矽的理論導熱率可達400W/(m·K），具有成為高導熱基片的潛力。此外氮化矽的熱膨脹係數為3.0X10^(-6)/左右，與si,sic,和GaAs等材料匹配良好，這使得氮化矽陶瓷將 ...

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