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後製程熱退火處理調變下之氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井結構與 ...

本論文試樣是以有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)所成長之多層. 量子井InGaN/GaN 薄膜，其原理為利用氣相沈積的方式磊晶，透過磊. 晶的金屬有機物和氨氣(NH3)，在腔體內部進行 ...

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