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哥倫布計畫：半導體-絕緣層-金屬接面之無須摻雜電晶體

另外，費米能階釘札效應可以被在金屬-半導體接面上之金屬所導致的能隙能階(MIGS) ... 注意到矽的電子親和力χe=4.05eV，介電常數ε=11.9和能隙Eg=1.12eV，全部定義在模擬當中。

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