※ 引述《andy760411 (氣度才是最重要滴)》之銘言：
: ※ 引述《huges0111 (okok)》之銘言：
: : 你所說的Fermi level定義是指溫度在0 K的時候
: : 在不是0 K時，Fermi level是指在此位置找到電子的機率是0.5
: : 雖然在gap中不會有電子存在
: : 不過因為半導體不會是純的，有intrinsic carrier concentration
: : 所以即使在沒有doping的情形下，conduction band也會有電子存在(雖然很少)
: : 這樣一來, fermi level就會移到gap中
: : 要找fermi level,照定義即可
: : n=1/[1-exp((E-f)/kT)]
: 想請問一下...
: 因為還是有些不太了解:
: (1)在0K時，就intrinsic Si而言，
: 電子最高不是填到"價帶"的頂端嗎?
: 在大於0K後，會有部份電子跑到傳導帶。
: (2)如果說EF是指0K時，電子可填入的最高能階，
: 那不就有部份電子的能量，是坐落於Eg裡面(i.e. VB<電子能量<EF)??
: 希望強者能幫小弟解惑，感恩!!!

在我印象裡面
固態物理對Fermi energy有定義是在0K之下電子排到最高能階的能量
但是大於0K的Fermi energy其實嚴格上來說應該是Chemical potentail
對Chemical potentail來說這是一種由Fermi statistic來的概念
應該沒有最高能量電子所站能階的意思

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