你即將離開本站

並前往http://ir.lib.isu.edu.tw/retrieve/108815/isu-104-isu10204003m-1.pdf

蝕刻製程在不同晶圓載台轉速下之電漿流動的數值模擬

相反的，對壓力較. 高者而言晶圓的蝕刻速率會降低，同時也降低了光阻與被蝕刻晶圓之間的選擇. 比；此外若腔室壓力越高，越不容易控制蝕刻之後晶圓的均勻度。 由於腔體內 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「蝕刻選擇比高」的人也找了：

  1. 蝕刻選擇比公式
    2.
  2. 蝕刻選擇性
    3.
  3. 蝕刻氣體選擇
    4.
  4. 蝕刻選擇性意思
    5.
  5. 等向性蝕刻
    6.
  6. 非等向性蝕刻
    7.
  7. 非等向性蝕刻原理
    8.
  8. 蝕刻製程英文
    9.