(一)矽基材質的蝕刻,製程氣體是以氟離子電漿(Fluoride-based)為基礎,包含二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)與多晶矽(Poly-Si)等材料蝕刻,對於W及Carbon亦有優異的蝕刻能力;.
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