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蝕刻目的
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〈分析〉中國晶圓代工設備蝕刻機一支獨秀 - 鉅亨
從晶圓製造來看,主要工序流程可分為氧化– 光刻– 刻蝕– 拋光– 離子植入– 沉積– 金屬化- 測試。 氧化:其目的在於生成二氧化矽薄膜。用矽作為半導體原材料 ...
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