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以光電化學溼式蝕刻氮化鎵之研究張良勇

本研究以光電化學蝕刻為基礎加上偏壓來引誘大量的電子-電洞對，加速氮化鎵氧化還原反應，. 同時產生的氧化物可溶解於強酸或是強鹼之中，達到加快蝕刻速率的目的。

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