省略SC-1 的步驟,但在SC-2 HCl 中加入HF,作為蝕刻晶. 面氧化層,以取代SC-1 去除微粒子的功能。 2-4-2. 氧化製程(Oxidation). 20. 氧化的目的,主要是使矽晶片表面長 ...
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