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「蝕刻選擇比定義」+1

「蝕刻選擇比定義」+1。半導製程原理與概論Lecture8.蝕刻技術.(Etching).嚴大任助理教授.國立清華...影製程在表面定義出IC...是0.40μm/min,氧化膜對矽的蝕刻選擇比為25 ...

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