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半導體製程設備技術 - 第 243 頁 - Google 圖書結果

性蝕刻,深寬比需可達到大於20:1,而蝕刻深度需可達到數十至數百微米(um)的要求。 ... 的一套蝕刻方法,藉由兩種不一樣的蝕刻氣氛交替反應完成此任務,分為兩步驟或三步驟 ...

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