你即將離開本站

並前往https://books.google.com.tw/books?id=P1fHDwAAQBAJ&pg=PA162&lpg=PA162&dq=%E8%9D%95%E5%88%BB%E6%AD%A5%E9%A9%9F&source=bl&ots=7VaIWY7v_X&sig=ACfU3U05kVJl5lIJeX129KOPpucWkptHiQ&hl=zh-TW&sa=X&ved=2ahUKEwifmMbOuqGBAxWnXqQEHekaDlUQ6AF6BAgVEAM

VCSEL 技術原理與應用 - 第 162 頁 - Google 圖書結果

採用 LPE 磊晶再成長牽涉到蝕刻表面回熔(melt-back)清潔步驟[2][3], ... 採用分子束磊晶法再成長通常會將乾式蝕刻(dry etching)機台與超高真空的MBE 磊晶腔體串聯 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「蝕刻步驟」的人也找了：

  1. 蝕刻製程ppt
    2.
  2. 電漿蝕刻原理
    3.
  3. 蝕刻是什麼
    4.
  4. 蝕刻目的
    5.
  5. 濕式蝕刻原理
    6.
  6. 乾蝕刻原理
    7.
  7. 蝕刻技術
    8.
  8. 蝕刻選擇比定義
    9.