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CN104658896A - 蚀刻方法、半导体器件

可选的，所述第一半导体层为硅锗，所述第二半导体层为锗；所述第一蚀刻步骤为干刻，干刻步骤采用的气体包括：氯气、溴化氢气体和氧气，所述聚合物为氧化物聚合物。

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