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蝕刻步驟
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n-Si(100)дന̼ᓙែѣ፟໘୵̝̼̚ጯᄞࠎҖג
蝕刻步驟 先採用陽極動態極化法,. 在混合溶液中定義出適當之蝕刻電位,以利進行定電位蝕刻,進而研究蝕刻孔洞陣列的形. 貌差異。結果顯示:(1) n 型矽的電化學蝕刻 ...
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