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開發高密度電漿深蝕刻技術應用於矽晶圓切割 - Research NCKU

第二部分使用微影製程定義蝕刻溝道之線寬，線寬為約32μm，以完整之Bosch製程進行蝕刻步驟與沉積步驟之變化調整探討對於矽深蝕刻之影響，以達垂直蝕刻圖形與高蝕刻速率， ...

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