... 源極電壓或更薄的SiO 2 層,區域特定的導通電阻才能夠保持在優良的低水準程度。對於SiC材料中的溝槽MOSFET裝置結構而言,由於垂直晶格平面中的SiO2 介蕭特基二極體, ...
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