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能帶形成
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带电点缺陷的形成能(手动方法) - 费米科技
EVBM E V B M 是由ATK 计算研究块体(本教程中为无缺陷的块体GaAs)的能带结构所给出的价带最大值,μe μ e 在此处定义的是对应价带顶部的电子化学势。考虑 ...
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「能帶形成」
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