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成長溫度對InN 磊晶薄膜顯微結構之影響

在晶體缺陷部分，InN 磊. 晶薄膜中主要的面缺陷是位移向量為1/6 〈22¯03〉 的基面疊差，線缺陷則是布格向量為b = 1/3 〈112¯0〉 的差. 排。 InN epitaxial films were ...

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