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連台積電都搶進！第三世代半導體材料– 氮化鎵GaN是什麼？

第三代半導體材料被稱為「寬能隙半導體」（WBG），相對於以往的材料有著更寬的帶隙，帶隙越寬，越能耐高溫、高壓、高頻、高電流， ... 4) 氮化鎵不能用在製作處理器.

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