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第三類半導體功率元件 - 網際星空

半導體 第一代材料是矽(Si)，矽的帶隙(band gap)寬約是1.17eV；第二代材料是砷化鎵(GaAs)，是現今絕大部分通信設備的材料；第三代材料是指帶隙寬在2.3eV及以上的半導體材料 ...

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