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助攻MIT次世代半導體材料中山大學6吋晶體技轉5千萬

第三類 （次世代）半導體材料碳化矽（SiC）已發展數十年，具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性，但晶體生長的技術門檻高。周明奇強調，第 ...

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