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控制閘為絕緣型的金屬氧化半導體場效電晶體

同時，FET 輸入電阻極大，輸入電流趨近於0，所以實際應用分析比BJT 簡單很多。 ... 空乏型MOSFET的V－I 特性與接面場效電晶體JFET幾乎完全相同。

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