高頻下的反轉情形,屬於少數載子的反轉電子無法及時反應,空乏區的寬度也無太明顯的變化,所以電容不會增加,維持在最低值。 理想MOS曲線(C-V圖)(n型半導體). 6.1.2 SiO2 ...
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