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增強型GaN HEMT的汲極電流特性- 電子技術設計 - EDN Taiwan

這兩種增強型結構是金屬-絕緣層-半導體(metal-insulator–semiconductor；MIS)結構和閘極注入電晶體(gate-injection transistor；GIT)結構。MIS結構具有受 ...

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