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RCA clean 製程

利用氫氟酸來蝕刻二氧化矽層的機制中，決定蝕刻速率的是[HF2-]濃度，若HF濃度保持 ... 其中硝酸及氫氟酸的比例是影響蝕刻濃度的關鍵。 氮化矽層蝕刻(Silicon Nitride ...

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